研究設備

シグナルソースアナライザ
発振器出力の純度(雑音レベル)を測定します。

スパッタ装置
加速したイオンを材料に衝突させることにより、薄膜を基板上に堆積します。



イオンミリング装置
新島真空(特注)+イオンテック


SAMCO RIE-200IPD
(VBL共有設備)

ワイヤボンダ
Al細線で、配線します。

プラズマアッシャ
プラズマを利用して、有機膜を分解します。
オゾンアッシャ
オゾンを利用して、有機膜を分解します。

スペクトルアナライザ
信号に含まれる周波数成分を測定します。

X線回折装置
ブラッグ回折により、材料の結晶性を評価します。

レーザ顕微鏡
レーザを走査して、ミクロンオーダでの表面状態を評価します。

原子間力顕微鏡
微小な針を走査して、ナノメータオーダでの表面状態を評価します。



メイワフォーシスDWS32421

ダイヤモンドワイヤカッター
ダイヤモンドワイヤーを利用して、単結晶等の基板を高精度に切断加工します。

レーザ露光装置
レーザビームを基板上の有機膜(レジスト)へ照射し、微細な電極構造を描画します。



ネオアークDDB201

デジタルオシロスコープ
試作した電子回路の時間応答を精密に測定します。



レクロイWavePro 950
(DC-2GHz, 16GS/s)

イオンミリング装置
加速したイオンを衝突させ、様々な材料を微細加工します。

反応性イオンエッチング装置
イオンの衝突と化学作用を利用して、様々な材料を精度良く微細加工します。



島津製作所(XRD-6100)


キーエンス(VP-8500)


キーエンス (VN-8010)

電子ビーム露光装置(走査型電子顕微鏡ベース)
電子ビームを基板上の有機膜(レジスト)へ照射し、非常に微細な電極構造を描画します。



アジレント8719ES
(50MHz-13.5GHz)


アドバンテストR3768
4ポート(0.3MHz-8.5GHz)
上部はウェーハプローバ、左はEal


日立 S-4300E(熱フィールドエミッション型)+
東京テクノロジーBeam Draw
(VBL共有設備)



アジレント E5071C
4ポート(300kHz-20GHz)
周波数オフセット機能付き
レーザプローブ
レーザを利用してGHz帯超音波の伝搬を可視化します。研究室で開発しています。


デュアルターゲットスパッタ装置(特注)


マグネトロンスパッタ装置
アネルバ SPC350-HUV

ネットワークアナライザ(タイムドメイン機能付き)
試作した電子デバイスの周波数特性を精密に測定します。

超音波顕微鏡システム
材料の弾性的性質を超精密に計測します



ECRスパッタ装置Afty



日本電子JSM-5310(Wフィラメント型)
+東京テクノロジーBeam Draw



アジレントE5052B+E5053A
(10 MHz -26.5 GHz)


アジレント4445A(4Hz-13.2GHz)
雑音指数+位相雑音測定機能
上部は信号発生器アジレントE4222B (0.1MHz-4GHz)


BAWデバイス用レーザプローブ


SAMCO PD-220Nl
(VBL共有設備)

真空蒸着装置
加熱により材料を蒸発させ、薄膜を堆積します。



抵抗蒸着装置:
新島真空(特注)



電子ビーム蒸着装置
治由理化器(特注)

プラズマCVD装置
プラズマにより原料ガスを分解し、薄膜を堆積します。



超音波工業


治由理化器(特注)


SAMCO UV-1